首頁
關于納設
公司簡介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
資質與榮譽
相關專利
產品與技術應用
產品系列
碳化硅外延設備
原子層沉積設備
科研級定制化CVD設備
開放式卷對卷石墨烯制備設備
應用領域
光伏鈣鈦礦
第三代半導體
二維材料
新聞中心
公司動態(tài)
行業(yè)資訊
誠聘英才
聯系我們
0755-23243345
中文版
English
空間型原子層沉積設備
通過物理分隔反應區(qū)實現空間交替：基板在移動中依次經過前驅體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調，源瓶壓力可控，自動傳片及取片，可擴展腔體及氣路數量，支持客戶定制
時間型原子層沉積設備
采用時間順序交替引入前驅體，在單一反應腔內完成循環(huán)：前驅體A脈沖→抽空→前驅體B脈沖→抽空
薄膜性能：片內/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調，電動開蓋，15英寸工業(yè)級觸摸屏， 支持客戶定制
全國咨詢熱線:
郵箱：contact@naso-tech.com 地址：深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路招商局光明科技園A3C棟3樓
COPYRIGHT 2024 深圳市納設智能裝備股份有限公司
網站制作：中企動力 深圳
